简单介绍：

高精度单晶硅压力/差压变送器在电路设计上采用以微处理器并辅助以数字隔离技术的模块化设计，使仪表具有高的抗干扰性及稳定性，同时通过内置温度传感器对变送器进行补偿，测量精度，降低了温度漂移，具有长期稳定性好，自诊断能力强等特点。在结构上，用户很方便的通过HART通讯手操器对变送器进行标定、设置和组态。高精度单晶硅压力/差压变送器

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概述

高精度单晶硅压力/差压变送器在电路设计上采用以微处理器并辅助以数字隔离的模块化设计，使仪表具有高的抗干扰性及稳定性，同时通过内置温度传感器对变送器进行补偿了测量精度，降低了温度漂移，具有长期稳定性好，自诊断能力强等特点。在结构上，用户很方便的通过HART通讯手操器对变送器进行标定、设置和组态。

压力/差压变送器特点

1. 先进的单晶硅压力、差压传感器与封装工艺

2. 单向过压可达25MPa

3. 微处理器并辅助以数字隔离设计，使仪表具有高的抗干扰性及稳定性

4. 24位ADC实现高精度

5. 一键清零功能不影响电气防护等级

功能参数

量程限：在量程的上下限范围内，可以任意设置，只要标定量程≥设置量程。建议选择量程比尽可能低的量程，以优化性能。

安装位置影响：与膜片面垂直方向的安装位置变化不会造成零漂影响，若安装位置与膜片面大于90°的变化，会发生<0.4kPa范围内的零位影响，可以通过调零校正，无量程影响。

输出：两线制4-20mA，符合NAMIR NE43规范，叠加数字信号（Hart协议）可选择线性或平方根输出。

输出信号极限：： 低报模式Imin：3.9 mA

 高报模式Imax：21 mA

故障警告：如果传感器或电路出现故障，自动诊断功能自动输出22.0mA

响应时间：放大器部件阻尼常数为0.1s；传感器时间常数为0.1～1.6s，取决于量程及量程比。附加的可调时间常数为：0～100s。

预热时间：< 15s

性能参数

测量介质：气体、蒸汽、液体

精度：±0.05%、±0.075%、±0.1%（包括从零点开始的线性、回差和重复性）

稳定性：±0.1%/3年

环境温度影响：≤±0.04%URL/10℃

静压影响：±0.05%/10MPa

电源：10.5～36V DC（本安防爆10～26V DC）

电源影响: ±0.001% /10V，可忽略不计

环境温度：-40℃~85℃

测量介质温度：-40℃~120℃

贮藏温度：-40℃~85℃

显示： LCD

显示器显示模块温度： -20℃~70℃